特許

J-GLOBAL ID：200903083384671800

荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム

発明者： 鶴巻 秀幸 ,  飯島 智浩 ,  堀内 智之
出願人/特許権者： 株式会社ニューフレアテクノロジー
代理人 (3件)： 松山 允之 ,  河西 祐一 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014573
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200956
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【目的】トラッキングオーバーフローを回避しながらも、より速いステージ速度になるように構成した描画装置或いは描画方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の描画装置100は、第1のステージ速度に基づいて、主偏向器214が偏向する試料101のサブフィールド内で追従可能な最大ショット数であり、サブフィールドを分割するSFX設定値を計算するSFX設定値計算処理部130と、SFX設定値を超えるショット数のサブフィールドを略均等のショット数になるように分割するショットデータ生成処理部240と、分割されたサブフィールドを含め、主偏向器214が追従可能な第2のステージ速度を計算するストライプ描画部140と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、ステージ速度を速くすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

試料を載置して所定の方向に移動するステージと、 前記ステージの移動に追従しながら前記試料に描画する描画データのサブフィールド位置に荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、 第1のステージ速度に基づいて、前記偏向器が偏向する前記試料に描画する描画データのサブフィールドがダイナミックレンジの範囲を越えずにステージの移動に追従可能な前記荷電粒子ビームの最大ショット数を、サブフィールドを分割するショット数設定値として計算するショット数設定値計算部と、 前記ショット数設定値を超えるショット数が必要となるサブフィールドが存在する場合に、前記ショット数設定値を超えるショット数が必要となるサブフィールドを前記ショット数設定値以下で略均等のショット数になるように分割するサブフィールド分割部と、 分割されたサブフィールドを含め、前記試料のサブフィールド内で前記偏向器が前記ステージの移動に追従可能な第2のステージ速度を計算するステージ速度計算部と、 前記第2のステージ速度で前記ステージを移動させるステージ制御部と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01J 37/305

FI (2件)：

H01L21/30 541J ,  H01J37/305 B

Fターム (4件)：

5C034BB10 ,  5F056CA04 ,  5F056CB12 ,  5F056CB23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 荷電ビーム描画方法及び描画装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-273691   出願人：株式会社東芝