特許

J-GLOBAL ID：200903083401982394

半導体基板の処理方法及び装置

発明者： 池田 文秀 ,  遠藤 洋 ,  町田 純一
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019666
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208991
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 処理室の室壁に付着しているパーティクルや不純物を巻き上げて被処理物に付着する量を大幅に軽減する。【構成】 被処理物の設置された処理室を,置換用ガスを流しながら大気圧から所望の処理圧力まで減圧した後、被処理物を処理し、又処理室をガス置換する場合、置換用ガスを流しながら減圧排気し、しかる後大気圧に戻すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

処理室内で被処理物を減圧下で処理する方法において、処理室を置換用ガスを流しながら大気圧から所望の処理圧力まで減圧した後、被処理物を処理することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-285924
  
• 特開平1-246824
  
• 特開昭62-143419
  
• 特開昭64-059912