多層配線基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004080
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】ボンディングパッドに半導体素子や容量素子等の電子部品を実装接続する際、有機樹脂絶縁層の熱膨張係数と電子部品の熱膨張係数の相違によって電子部品にクラックや割れ等が発生してしまう。【解決手段】基板1上に、複数の有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体層3とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層3を有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホール導体8を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層2上面に、前記薄膜配線導体層3と電気的に接続し、外部の電子部品Aが接続されるボンデイングパッド9を設けて成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層2にフィラーを含有させるとともに、該フィラーの含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くした。

請求項（抜粋）：

基板上に、複数の有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンデイングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層にフィラーを含有させるとともに、該フィラーの含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くしたことを特徴とする多層配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H01L 23/12

FI (4件)：

H05K 3/46 T , H05K 3/46 E , H05K 3/46 N , H01L 23/12 N

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