特許

J-GLOBAL ID：200903083405194617

不揮発性半導体メモリセル、及び不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み制御方法

発明者： 中村 明弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217366
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049245
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】プログラム電位等の低電圧化を図ることができる不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み制御方法を提供する。【解決手段】NAND型のメモリ・ストリングM0〜M7、ワード線、層間絶縁膜18を介してメモリ・ストリングを被覆するブースター・プレート層19、並びに、ワード線制御回路と各ワード線との間に設けられたスイッチ用トランジスタを具備した不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み制御方法は、メモリ素子へのデータ書き込みに際して、制御電極17の電位をプログラム電位とした後、スイッチ用トランジスタを非導通状態とすることでワード線をワード線制御回路から電気的に切り離し、次いで、ブースター・プレート層19にブースト電位を印加することによって、層間絶縁膜18を介したブースター・プレート層19と制御電極17との容量結合に基づき制御電極17の電位を昇圧する。

請求項（抜粋）：

(イ)基体に形成されたソース/ドレイン領域及びチャネル形成領域、チャネル形成領域上に形成された電荷蓄積部、並びに、電荷蓄積部上に形成された制御電極を有する、電気的書き換えが可能なメモリ素子が、複数、直列接続されたメモリ・ストリング、(ロ)各制御電極に接続された複数のワード線、(ハ)メモリ・ストリングの一端のメモリ素子の一方のソース/ドレイン領域に、第1の選択トランジスタを介して接続されたビット線、並びに、(ニ)メモリ・ストリングの他端のメモリ素子の一方のソース/ドレイン領域に、第2の選択トランジスタを介して接続されたソース線、を具備した不揮発性半導体メモリセルであって、(ホ)メモリ・ストリングを構成する各メモリ素子の制御電極の頂面及び側面、電荷蓄積部の側面、並びに、ソース/ドレイン領域を被覆する層間絶縁膜、(ヘ)層間絶縁膜上に形成され、且つ、メモリ・ストリングを構成する各メモリ素子の制御電極の頂面の上方から制御電極の側面の上方及び電荷蓄積部の側面の上方を経由してソース/ドレイン領域の上方へと延在するブースター・プレート層、並びに、(ト)ワード線制御回路と各ワード線との間に設けられ、メモリ素子へのデータ書き込みに際して、各ワード線をワード線制御回路から電気的に切り離すためのスイッチ用トランジスタ、を更に具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリセル。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 633 D ,  H01L 27/10 434

Fターム (60件)：

5B025AA01 ,  5B025AA04 ,  5B025AA07 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AE07 ,  5F001AA14 ,  5F001AA19 ,  5F001AA25 ,  5F001AB08 ,  5F001AB09 ,  5F001AB20 ,  5F001AC02 ,  5F001AD03 ,  5F001AD12 ,  5F001AD41 ,  5F001AD44 ,  5F001AD53 ,  5F001AD62 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AE30 ,  5F001AG02 ,  5F001AG03 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F001AG28 ,  5F083EP02 ,  5F083EP09 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP30 ,  5F083EP32 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER21 ,  5F083GA05 ,  5F083GA22 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083KA19 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA19 ,  5F083LA20 ,  5F083NA02 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36