特許

J-GLOBAL ID：200903083406779910

ガラスセラミック多層基板

発明者： 工藤 康人
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 菅 直人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209157
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036552
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 例えばハイブリットIC、マルチチップモジュール等に用いる低温焼成ガラスセラミック基板に係り、基板表面の導体配線とAgを用いた接続ビアとの間に接続不良等が生じることなく良好に接続できるようにする。【解決手段】 導体配線層とガラスセラミック絶縁層とが交互に複数積層されると共に、上記各導体配線層がAg系導体よりなる接続ビアを介して導電接続され、かつ少なくとも表面に配設される導体配線層は、Au、Pd、Ptの一種以上あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金からなるガラスセラミック多層基板において、少なくとも上記の表面に配設される導体配線層と他の導体配線層とを接続する接続ビアを、Agと酸化ニッケルとで構成し、そのAgと酸化ニッケルとの重量比率をAg/NiO=98/2〜80/20の範囲内としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導体配線層とガラスセラミック絶縁層とが交互に複数積層されると共に、上記各導体配線層がAg系導体よりなる接続ビアを介して導電接続され、かつ少なくとも表面に配設される導体配線層は、Au、Pd、Ptの一種以上あるいはAu、Pd、Ptの一種以上とAgの合金からなるガラスセラミック多層基板において、少なくとも上記の表面に配設される導体配線層と他の導体配線層とを接続する接続ビアを、Agと酸化ニッケルとで構成し、そのAgと酸化ニッケルとの重量比率をAg/NiO=98/2〜80/20の範囲内としたことを特徴とするガラスセラミック多層基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/09

FI (4件)：

H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 1/09 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-279695
  
• 特開平2-258648
  
• 特開平2-010607