特許
J-GLOBAL ID：200903083407486607
電圧依存非直線抵抗体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334486
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163009
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 従来の方法によってバリスタを製造した場合、セラミック素地と絶縁性樹脂被膜との間に隙間が形成されてしまうことがある。そして、この隙間が形成されたバリスタはセラミック素地面の絶縁抵抗が低下してしまい、異常電圧吸収時にこの隙間内でセラミック素地面に沿って放電が生じ、所望のバリスタ特性が得られないという問題を生じてしまう。【解決手段】 この発明に係る製造方法は、バリスタ特性を有するセラミック素地を形成する工程と、該セラミック素地の表面を粗面化する工程と、該セラミック素地に電極を形成する工程と、該セラミック素地を絶縁性樹脂被膜で被覆する工程とを備えている。該セラミック素地の表面は、例えば、弗酸を含む化学薬品で腐食させるか、サンドブラストによるかまたはバレルにより粗面化することができる。
請求項（抜粋）：
バリスタ特性を有するセラミック素地を形成する工程と、該セラミック素地の表面を粗面化する工程と、該セラミック素地に電極を形成する工程と、該セラミック素地を絶縁性樹脂被膜で被覆する工程とを備えたことを特徴とする電圧依存非直線抵抗体の製造方法。
引用特許：
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