シリコンウェーハ加工方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-186000
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【目的】シリコンウェーハの周縁エッジ部分をプラズマエッチング方法により鏡面加工を施す方法およびその装置。【構成】シリコンウェーハの周縁エッジ部分を、プラズマ中で発生する活性種ガスによりエッチングを行なう方法にて鏡面加工を行なうシリコンウェーハの方法を提供する。プラズマ化した活性種ガスは例えば6フッ化硫黄ガスを放電管8中で解離することによって発生される。更に、シリコンウェーハ1を保持し回転する手段とその周縁エッジ部分のみを残してウェーハ全体をカバーする容器5とそれを収納する真空チャンバー10と、プラズマ発生手段11とを具備したことを特徴とするプラズマエッチングによるシリコンウェーハの周縁エッジ部分のポリッシング装置を提供する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハの周縁エッジ部分を、プラズマ中で発生する活性種ガスによりエッチングを行なうことを特徴とするシリコンウェーハ加工方法。

IPC (3件)：

C30B 33/12 , C30B 29/06 , H01L 21/3065

FI (3件)：

C30B 33/12 , C30B 29/06 B , H01L 21/302 N

Fターム (16件)：

4G077ED06 , 4G077FG02 , 4G077FG04 , 4G077FK04 , 4G077FK16 , 4G077FK20 , 4G077HA12 , 4G077TK04 , 5F004AA16 , 5F004BA03 , 5F004BB14 , 5F004BB23 , 5F004BB24 , 5F004BB28 , 5F004DA18 , 5F004DB01

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