特許

J-GLOBAL ID：200903083411791031

半導体レーザおよびその製法

発明者： 虫上 雅人 ,  手銭 雄太 ,  村山 実
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186323
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザにおいて、クラッド層や電流阻止層に光を吸収し易い材料を用いず、動作電圧の低下をはかる。【構成】 半導体レーザを構成する上下クラッド層2、4、6および活性層3が組成式:(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y </SB>P(0<x≦1:層ごとにxの値は異なる、yは約0.5 )で表される化合物半導体が用いられ、電流阻止層5および上部第1クラッド層4のエネルギーバンドギャップが活性層3のそれより大きい半導体からなっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の上部第1クラッド層、ストライプ状の開口部を有する第1導電型の電流阻止層および第2導電型の上部第2クラッド層が、順次積層されてなり、少なくとも前記電流阻止層以外の各層を構成する半導体が、組成式:(Alx Ga1-x )y In1-y P(yは約0.5 )で表される化合物半導体で、該式中のxは、0≦x≦1の範囲内で、各層ごとに所定値を有し、前記電流阻止層および上部第1クラッド層はそのエネルギーハンドギャップが、前記活性層のエネルギーバンドギャップより大きな材料からなる半導体レーザ。