薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238512
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082549
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】一つのホトレジスト膜をマスクとして半導体膜中に低濃度拡散領域と高濃度拡散領域を形成し、自己整合的にLDD構造を実現する。【構成】ゲート電極3上のSiO2 膜6の上にホトレジスト膜7を設けてパターニングし、ホトレジスト膜7をマスクとしてSiO2 膜6を等方性エッチングし、アンダカット部を設けた後、シリコン基板1に対し30〜60°の角度で低濃度のホウ素イオン8をイオン注入し、P- 型拡散領域9を形成する。次にシリコン基板1に対し垂直に高濃度のホウ素イオン10をイオン注入し、P+型拡散領域11を形成し、自己整合的にLDD構造を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた絶縁膜の上に選択的にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の表面にゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲート酸化膜を含む表面に一導電型半導体膜及び絶縁膜を順次堆積する工程と、前記ゲート電極上の絶縁膜上に選択的にホトレジスト膜を形成する工程と、前記ホトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜を等方性エッチングして前記ホトレジスト膜の端部にアンダーカット部を設ける工程と、前記ホトレジスト膜をマスクとして前記半導体膜に逆導電型不純物を斜め方向からイオン注入して前記アンダーカット部を含む前記半導体膜に逆導電型低濃度拡散領域を形成する工程と、前記ホトレジスト膜をマスクとして逆導電型不純物を垂直方向からイオン注入して前記半導体膜に逆導電型高濃度拡散領域を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 V

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