ダマシン・メタライゼーションのための正角ライニング層

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-531140
公開番号（公開出願番号）：特表2003-531474
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2003年10月21日
要約：

【要約】集積回路のデュアルダマシン構造に正角ライニングするための方法および構造が提供される。トレンチ60およびコンタクトビア62が絶縁層60、56に形成される100。トレンチ60およびビア62は、所望のライニング材料150のモノレイヤを形成するように交互に入れ替わるなる化学物質にさらされる。例示的なプロセスフローは、一定のキャリア流量に射出されるパルス化されたメタルハライド104とアンモニアガス108とを交互に含む。自己終端金属層は、例えば窒素と反応する。ほぼ完全なステップカバレージによって、拡散バリア機能に必要な最小限の厚さが実現可能となり、それによって、任意の所与のトレンチおよびビアの寸法に対して、その後の充填金属160の体積を最大にすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁層に所望の配線パターンでトレンチを形成すること、下層の導電性部材の少なくとも一部を露出させるために、前記トレンチの底部から下方に延びるコンタクトビアを形成すること、第1の反応種にさらして、前記トレンチおよびコンタクトビアの表面を、約1モノレイヤ以下でライニングすること、および第2の反応種と、ライニングした前記モノレイヤとを反応させることを含むダマシン・メタライゼーション方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C23C 16/34 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 16/34 , H01L 21/285 C , H01L 21/90 A

Fターム (77件)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP12 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS04 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX04

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