特許
J-GLOBAL ID：200903083418927486
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234237
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075029
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【構成】N型シリコン基板1とP型領域3とN型領域4からなるNPNトランジスタのベース・コレクタ間にP型領域3とN+ 型領域5からなるツェナーダイオード及びP+ 型領域6と電極7とのコンデンサを並列接続してトランジスタによるツェナー電流の増幅とコンデンサによる雑音電圧の負帰還を行う複合素子を構成する。【効果】定電圧ダイオードの動作抵抗と雑音を低減させる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の上面に設けた逆導電型のベース領域と、前記ベース領域内に設けた一導電型のコレクタ領域及び一導電型のツェナーダイオードと、前記コレクタ領域及びツェナーダイオードと接続し且つ誘電体膜を介して前記ベース領域との間にコンデンサを形成する電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 29/90
