特許
J-GLOBAL ID：200903083419313090
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043800
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246692
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 レーザ光の吸収損失を抑制しつつ、基本横モードを安定化させた上で、抵抗値を増大させることなく、所定の水平広がり角度を得る。【解決手段】 光閉じ込め層6にInAlP系材料を用いるとともに、ストライプ内外の実効屈折率差を、0.007〜0.014の範囲に設定する。
請求項（抜粋）：
第1導電型基板上に形成された第1導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型クラッド層と、レーザ光に対して透明で、ストライプ内外の実効屈折率差を0.007〜0.014の範囲に設定し、かつ、前記第2導電型クラッド層より屈折率の小さな光閉じ込め層とを備えることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (13件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA04
, 5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA32
, 5F073DA34
, 5F073EA15
, 5F073EA19
