特許
J-GLOBAL ID:200903083421550873

半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置の実装体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-300737
公開番号(公開出願番号):特開平6-151440
出願日: 1992年11月11日
公開日(公表日): 1994年05月31日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置と回路基板とを容易に信頼性よく、かつ微細ピッチに接続する。【構成】 ボールボンディング法を用いて半導体装置のIC基板1上の電極パッド2上に第1の突起接点7を形成した後、第1の突起接点7とつながる金属ワイヤーを熱エネルギーによって溶断して球状の第2の突起接点8とネック部9を形成して分銅状の電気的接続接点11を得る。次に、前記電気的接続接点11の第2の突起接点8とネック部9を主体に導電性接着剤14などを介して回路基板12上の端子電極13と接続して実装体を得る。【効果】 電気的接続接点のネック部で温度サイクルなどで発生する応力を吸収・緩和し、金属ワイヤーの引きちぎりがない形成法により電気的接続接点の形状が安定し、ショートやオープンなどの電気的接続不良がない、信頼性の高い微細ピッチの接合ができる。
請求項(抜粋):
金属導体からなる、第1の突起状接点と前記第1の接点の上方に球状に形成されている第2の突起接点が前記第1の突起接点と第2の突起接点より細いネック部を介して連続して形成された電気的接続接点が、半導体装置の電極パッド上に電気的に導通状態で接合された半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311
FI (2件):
H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 C

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