特許
J-GLOBAL ID：200903083424243840
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-093979
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 3値の情報を記憶することができ、かつ誤ベリファイを招くことなく書き込みベリファイ動作の高速化をはかり得るEEPROMを提供すること。【構成】 電気的書替え可能なメモリセルをマトリクス配置したメモリセルアレイ1を有し、1つのメモリセルに3つの記憶状態を持たせたEEPROMにおいて、複数のメモリセルの書込み動作状態を制御するデータを一時記憶する複数のデータ回路と、メモリセルに夫々対応するデータ回路の内容に応じて書込み動作を行う書込み回路と、メモリセルの書込み動作後の状態を確認する書込みベリファイ回路と、データ回路の内容とメモリセルの書込み動作後の状態から書込み不十分のメモリセルに対してのみ再書込みを行うよう、データ回路の内容を更新するデータ更新回路とを備え、データ回路の内容に基づく書込み,書込みベリファイ動作及びデータ回路の内容更新を、メモリセルが所定の書込み状態になるまで繰返す。
請求項（抜粋）：
電気的書き替えを可能とし3以上の複数の記憶状態を持たせたメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイ中の複数のメモリセルの書き込み動作状態を制御するデータを一時記憶するための複数のデータ回路と、前記複数のメモリセルにそれぞれ対応する前記データ回路の内容に応じて書き込み動作を行うための書き込み手段と、前記複数のメモリセルの書き込み動作後の状態を確認するための書き込みベリファイ手段と、前記データ回路の内容とメモリセルの書き込み動作後の状態から書き込み不十分のメモリセルに対してのみ再書き込みを行うように、前記データ回路の内容を更新する手段とを備え、前記データ回路の内容に基づく書き込み動作と書き込みベリファイ動作及びデータ回路の内容更新を、前記複数のメモリセルが所定の書き込み状態になるまで繰り返しながら行うことにより、電気的にデータ書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 308
, G11C 17/00 510 A
