特許

J-GLOBAL ID：200903083435684163

電子放出素子、その製造方法、電子源及び画像形成装置

発明者： 宮田 浩克
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299846
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109490
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 電子放出素子を局所的な有機ガス圧分布の影響を受けない同一の条件で活性化することで、均一性に優れた電子放出素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成した一対の電極間に電子放出部を含む導電性薄膜を有する表面伝導型電子放出素子において、該基板の表面に細孔内に炭素を担持したメソポーラスシリカ薄膜が設けられている電子放出素子。上記炭素を担持したメソポーラスシリカ薄膜中の細孔構造が二次元ヘキサゴナル構造であり、かつ該細孔が前記一対の電極間の電界の方向に対して平行に配向しているのが好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した一対の電極と、該電極間に配置された間隙を有する導電性膜と、該間隙内に配置された炭素あるいは炭素化合物とを有する電子放出素子において、該基板の表面に、細孔内に炭素を担持したメソポーラスシリカ薄膜が設けられていることを特徴とする電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/316 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 E

Fターム (10件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE02 ,  5C036EE14 ,  5C036EE16 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11