特許
J-GLOBAL ID：200903083439224396
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296877
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211322
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】分光感度特性を保ちながら光電変換部における信号電荷の蓄積容量を増加させ、飽和出力電圧を向上させる。【構成】光電変換部1のN型不純物層4を、拡散係数が異なる二つの元素により下層のN型中濃度層5と上層のN+ 型高濃度層6とで二層に構成する。光電変換部のポテンシャルは基板表面近くで最大になり、空乏層の容量が増加し、飽和出力電圧が向上する。また、N型不純物層4は従来と同様の深さに形成しているため、不純物層よりも深い位置に到達した入射光による光電変換電荷を信号電荷として捕えることも可能である。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板に逆導電型の不純物層を形成し、かつこの不純物層の表面部に一導電型の不純物層を形成した光電変換部を備える固体撮像素子において、前記一導電型の不純物層下の前記逆導電型の不純物層は前記逆導電型の二つの異なる不純物元素により形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
引用特許：
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