特許
J-GLOBAL ID：200903083443968979
窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428067
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191110
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置の提供。【解決手段】 窒化物発光装置は、光線キャプチャ層を具えた基板と、その上に成長させた窒化物発光構造を具え、光線経路を改変することで発光効率を高められ光線キャプチャ層と基板の屈折率のマッチングにより、更に大幅に発光効率を高められる。 このほか、本発明による高発光効率窒化物発光装置は、犠牲層基板の上に窒化物発光構造を成長させ、二種類以上の金属或いは合金で構成した結合層により、基板上の窒化物発光構造と高い熱伝導係数を具えた基板を結合させ、化学溶液でこの犠牲層基板を完全にエッチングして除去し、成長させた構造をもとの基板より剥離し、窒化物発光構造を高い熱伝導係数を具えた基板上に移しかえる。載置基板は高い熱伝導係数を具えた基板であるため、この装置を高電流で操作する時、大幅にその発光効率を高めることができる。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
成長基板と、
この成長基板の上に成長させた光線キャプチャ層と、
この光線キャプチャ層の上に成長させた窒化物エピタキシャル層と、
を具えた窒化物発光装置において、
該光線キャプチャ層が光線のもとの行進経路を改変することにより、光線がエピタキシャル層により吸収されるのを防止して発光装置より射出されるようにし、これにより発光効率を高め、並びにこの光線キャプチャ層と成長基板の屈折率のマッチングによっても発光効率を高めることを特徴とする、窒化物発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
-
米国特許第2002/0125485号明細書
-
米国特許第6515306号明細書
-
米国特許第6420242号明細書
審査官引用 (1件)
前のページに戻る
