特許
J-GLOBAL ID：200903083448106282
半導体装置用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192118
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045748
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】結晶性は比較的悪く、しかし放熱性の高い安価な半導体実装用ダイヤモンド基板。【目的】 高い放熱性を保持しながらかつ安価に製造できるダイヤモンド基板。【構成】 ダイヤモンドの誘電特性、結晶性を低下させることにより、高熱伝導性を維持しながら、ダイヤモンド基板製造のコストを大幅に低下させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を実装する基板であって、少なくとも気相合成ダイヤモンド層を有し、かつ該ダイヤモンド層の熱伝導率が10W/cm・K以上、100MHzにおける比誘電率が6以上、誘電損失が0.01以上であるような半導体素子実装用基板。
IPC (2件)：
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