ネガ型レジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314816
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147752
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】電子線またはX線を使用するミクロファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、電子線使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する電子線又はX線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物の開発である。【解決手段】アルカリ可溶性樹脂、感放射線性酸発生剤及び酸により架橋する架橋剤を含有する化学増幅系ネガ型レジスト組成物において、下記条件?@及び?A?@特定の構造の感放射線性酸発生剤?A特定の構造の分子量1000以下の低分子フェノール誘導体のうちの少なくとも1つの条件を満足する電子線及びX線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性樹脂、感放射線性酸発生剤及び酸により架橋する架橋剤を含有する化学増幅系ネガ型レジスト組成物において、下記条件?@及び?Aのうちの少なくとも1つの条件を満足することを特徴とする電子線及びX線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物。?@感放射線性酸発生剤が下記一般式(I)〜一般式(III)で表わされる化合物である。?A酸により架橋する架橋剤が下記一般式(IV)で表わされる分子量1000以下の低分子フェノール誘導体である。【化1】一般式(I)〜(III)において、R1〜R37は、同一又は異なって、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は-S-R38基を表す。R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。また、R1〜R15、R16〜R27あるいはR28〜R37 のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される1種又は2種以上を含む環を形成していてもよい。X-は、少なくとも1個のフッ素原子、少なくとも1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、少なくとも1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアシル基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアシロキシ基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたスルホニル基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたスルホニルオキシ基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたスルホニルアミノ基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアリール基、少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアラルキル基、及び少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアルコキシカルボニル基、から選択された少なくとも1種を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。【化2】一般式(IV)において、Ar1:置換基を有していても良い芳香族炭化水素環を示す。R39およびR40:各々独立に、水素原子または炭素数12個以下の炭化水素基を示す。R41:水素原子または炭素数12個以下の炭化水素基を示す。m:2〜4の整数を示す。n:1〜3の整数を示す。X1:2価の連結基を示す。Y:以下の部分構造を有する2価〜4価の連結基或いは末端が水素原子である1価の官能基を示す。【化3】Z:Yが末端基である場合には存在せず、あるいは2価〜4価の連結基又は1価の官能基を示す。また、Y又はZがAr1上の炭素原子と結合して環を形成してもよい。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , H01L 21/027 , C07D251/24

FI (5件)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , C07D251/24 , H01L 21/30 502 R

Fターム (13件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025CB17 , 2H025CB29 , 2H025CB42 , 2H025CC17

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