特許

J-GLOBAL ID：200903083453684626

薄膜形成装置

発明者： 内田 淳一 ,  志田 啓之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315458
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157839
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 形成される薄膜の膜質の低下を招くことなく、稼働率およびスループットを向上させる。【解決手段】 ウェハWを支持する台座1、ターゲット2、ターゲット2を取り囲むサイドシールド4、台座1とともに昇降するアンダシールド5、台座1を昇降させる台座リフタ7、ウェハWの浮上を行うウェハリフタ8を備えたスパッタ処理室10の内部に、アンダシールド5を交換可能に隠蔽するシールドリング6と、このシールドリング6を昇降させるシールドリングリフタ9、リング押上ピン9a、アーム9bを設け、台座1とシールドリングリフタ9の昇降動作と、トランスファ室20の内部の共用搬送ロボットのロボットブレード26c、トランスファ室20に接続された真空予備室によって、ウェハWの交換と同様の操作で、シールドリング6の交換を、スパッタ処理室10の大気開放なしに行う。

請求項（抜粋）：

薄膜形成対象物を支持する台座と、この台座の周辺部に着脱自在に配置された防着板とを含む第1の室と、前記第1の室を大気開放することなく前記薄膜形成対象物および前記防着板の交換を行う搬送機構を備えた第2の室とを含むことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

C23C 14/34 J ,  C23C 14/34 T ,  C23C 14/56 H ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 S