特許
J-GLOBAL ID:200903083457297732

フォトマスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-263626
公開番号(公開出願番号):特開2004-101868
出願日: 2002年09月10日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】レジストマスクではガラス基板上に残った僅かなレジストスカムが遮光材となって転写欠陥が発生する。そこでレジストスカムのないレジストマスク(フォトマスク)の製造方法を確立することが本発明の課題である。【解決手段】上記レジストマスクの課題を解決するために、透明基板上にレジストパターンを形成した後、レジストパターン付近に酸素が存在する環境でVUV光を照射する。本方法によって上記課題は解決される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
レジストパターンを遮光部としたフォトマスクの製造方法において、 前記レジストパターンが形成された透明基板の一主面側を酸素を含有する雰囲気にさらし、 前記透明基板の他主面側より前記透明基板を透過するように光を照射することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件):
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (4件):
G03F1/08 X ,  G03F1/08 J ,  G03F1/08 V ,  H01L21/30 502P
Fターム (9件):
2H095BA06 ,  2H095BA07 ,  2H095BB20 ,  2H095BC06 ,  2H095BD32 ,  2H095BD40 ,  2H096AA24 ,  2H096HA03 ,  2H096JA04

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