特許

J-GLOBAL ID：200903083457325728

新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料、およびそれらを含む光記録媒体

発明者： 海江田 修 ,  吉年 孝司 ,  小野崎 美穂 ,  伊藤 正自
出願人/特許権者： 株式会社日本触媒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265223
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118551
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 650〜800nmの近赤外域に吸収を有し、溶解性に優れ、かつ耐光性に優れた新規含フッ素フタロシアニン化合物およびその製造法、並びにそれを含む光記録媒体を提供する。【構成】 式Iの含フッ素フタロシアニン化合物。[X1〜X4:置換基1〜5から選ばれ、β位に位置する;a〜d:0〜2;a〜dの総和:1〜3;M:金属、金属酸化物、金属水酸化物または金属ハロゲン化物]置換基(3):-O-CmHn置換基(4):-O-(CH2CH2O)gB置換基(5):-O-(CH2CH2CH2O)hG[A、B、G:C1〜C8アルキル;Z:H、C1〜C4アルキル、C1〜C4アルコキシルまたはF;D,E:C1〜C4アルキル;g、h:1〜5;p、r:0〜2;m:1〜12;n:アルキルを飽和するに必要な水素数]

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で示される含フッ素フタロシアニン化合物。一般式(I):【化1】式中、X1、X2、X3およびX4は、同一でも異なっていてもよく、各々下記置換基(1)、(2)、(3)、(4)または(5)であって、ベンゼン核のβ位に位置し;a、b、cおよびdは、同一でも異なっていてもよく、各々0〜2の整数であり、かつa、b、cおよびdの総和は1〜3であり;Fはフッ素原子であり;そしてMは金属、金属酸化物、金属水酸化物または金属ハロゲン化物である。置換基(1):【化2】置換基(2):【化3】置換基(3):-O-CmHn置換基(4):-O-(CH2CH2O)gB置換基(5)-O-(CH2CH2CH2O)hG上記式中、A、BおよびGは各々炭素原子数1〜8のアルキル基であり;Zは水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基、炭素原子数1〜4のアルコキシル基およびフッ素原子から選ばれる少なくとも一種であり;DおよびEは、同一でも異なっていてもよく、各々炭素原子数1〜4のアルキル基であり;gおよびhは各々1〜5の整数であり;pおよびrは各々0〜2の整数であり;mは1〜12の整数であり;nはCmHnなる直鎖あるいは分岐したアルキル基を飽和するのに必要な水素原子数である。

IPC (4件)：

C09B 47/18 ,  B41M 5/26 ,  C09K 3/00 105 ,  G11B 7/24 516