特許

J-GLOBAL ID：200903083457391380

プラズマ処理装置

発明者： 奥村 智洋 ,  中山 一郎 ,  柳 義弘 ,  鈴木 正樹 ,  川上 秀一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  アステック株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124805
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316214
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 電極用高周波電源に戻る反射電力を減少させ、自動マッチングの正常な動作を確保する。【構成】 真空容器1内に配置した3つ以上の電極2、3、4の各々をマッチング回路5、6、7を介して電極用高周波電源8、9、10と接続し、各電極2、3、4の各々に位相が配置順に異なる高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、真空容器1内に設けた試料台11に載置された基板12を処理するプラズマ処理装置において、各々の電極用高周波電源2、3、4とマッチング回路5、6、7との間、又は電極2、3、4とマッチング回路5、6、7との間に、遮断周波数が各電極2、3、4に印加する高周波電圧の周波数より大きいローパス・フィルタ14、15、16やバンドパス・フィルタを挿入した。

請求項（抜粋）：

真空容器内に3つ以上の電極が配置され、各電極がそれぞれマッチング回路を介して電極用高周波電源と接続されており、3つ以上の電極の各々に位相が配置順に異なる高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、真空容器内に設けた試料台に載置された基板を処理するプラズマ処理装置であって、各々の電極用高周波電源とマッチング回路との間に、遮断周波数が各電極に印加する高周波電圧の周波数より大きいローパス・フィルタを挿入したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/24 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/24 T ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A