特許
J-GLOBAL ID：200903083459757730
半導体構造における異なった材料の接合部を認識する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-506142
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501041
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】本発明は、プラズマによって行なわれる規定の構造の異方性の深いエッチングのための交互のエッチング-及び被覆ステップにおいて半導体構造における異なった材料の接合部を認識する方法に関する。プラズマに含まれた少なくとも1つの所定の物質の濃度の測定によって、特徴的な閾値(W)の到達によりそれぞれのエッチングステップの開始を検出し、この閾値が、それぞれのエッチングステップの開始及び終了を表示する外部同期信号によって到達されてもよく、かつそれから閾値(W)の到達とともに、遅延時間(τ)をスタートし、この遅延時間が、第1の濃度最大値(1)の経過よりも長く、それから遅延時間(τ)の経過後に、第2の濃度最大値(2)を検出し、かつ材料の接合部を認識するために所定の値(A,B)を上回るか又は下回るかに関してエッチングステップの第2の濃度最大値(2)を監視することが考慮されている。
請求項（抜粋）：
プラズマによって行なわれる規定の構造の異方性の深いエッチングのための交互のエッチング-及び被覆-又は堆積ステップにおいて半導体構造における異なった材料の接合部を認識する方法において、プラズマに含まれた少なくとも1つの所定の物質の強度の測定によって、特徴的な閾値(W)の到達によりそれぞれのエッチングステップの開始を検出し、かつそれから閾値(W)の到達とともに、遅延時間(τ)をスタートし、この遅延時間が、第1の濃度最大値(1)の経過よりも長く、かつこれを消去し、それから遅延時間(τ)の経過後に、第2の濃度最大値(2)を検出し、かつ材料の接合部を認識するために所定の値(A,B)を上回るか又は下回るかに関してエッチングステップの第2の濃度最大値(2)を監視し、それぞれのエッチングステップの開始、したがって遅延時間(τ)のスタートを、エッチング機械の同期信号によって認識することを特徴とする、半導体構造における異なった材料の接合部を認識する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/66
H01L 21/302 E
, H01L 21/66 P
