特許

J-GLOBAL ID：200903083463127210

トランジスタ回路

発明者： 川田 篤美 ,  田中 広紀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234479
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085550
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】高帯域性をもち、増幅率の高いトランジスタ回路を提供する。【構成】フォトダイオードにより光電気変換された信号を受けるトランジスタQ1のベース電極は抵抗RBを介してバイアスVB1に接続され、Q1のエミッタ電極が抵抗R1,C1を介してQ2のベース電極に接続され、抵抗R2を介してバイアスVB2へ接続される。Q2のコレクタ電極は抵抗RLを介して電源VCCに接続され、Q2のコレクタ電極より増幅信号を取り出し、その信号をトランジスタQEと抵抗REで構成されたエミッタフォロワーへ入力し、QEのエミッタから出力信号を得る。

請求項（抜粋）：

コレクタ電極が第1の電源に接続され、ベース電極が第1の抵抗を介して第1のバイアスに接続され、前記第1の抵抗と前記ベース電極の接続点を入力信号点とし、エミッタ電極が第2の抵抗と第1の容量のそれぞれの一方の電極に接続される第1のトランジスタと、ベース電極が前記第2の抵抗と前記第1の容量のそれぞれの他方の電極と接続されると共に、第3の抵抗を介して第2のバイアスに接続され、コレクタ電極が第4の抵抗を介して前記第1の電源に接続され、エミッタ電極が第2の電源に接続された第2のトランジスタとコレクタ電極が前記第1の電源に接続され、ベース電極が前記第2のトランジスタの前記コレクタ電極に、前記エミッタ電極が第5の抵抗を介して前記第2の電源にそれぞれ接続された第3のトランジスタからなり、前記第3のトランジスタの前記エッミタ電極と第5の抵抗の接続点を出力端子とすることを特徴とするトランジスタ回路。