特許

J-GLOBAL ID：200903083464314928

半導体記憶装置

発明者： 横山 友信
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008596
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203272
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの初期化を短時間で行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。【構成】 イニシャル信号線15にイニシャル信号INITが与えられたとき、ロウデコーダ5の全出力(実際には、3ステートバッファ4の出力)を高インピーダンス状態し、同時にプルアップ回路3のPchMOSトランジスタをオン状態にして全ワード線WLを立ち上げ、全メモリセル1を書込み可能状態にする一方、ビットイニシャル回路10によって全ビット線対BL,BLbとカラムI/O11とを接続し、カラムI/O11を通してメモリセル1に初期化データを与える構成とする。

請求項（抜粋）：

メモリセルがアレイ状に配列されてなるメモリアレイと、このメモリアレイのうち行方向のメモリセルを選択するための複数のワード線と、ロウアドレスに基づいて前記複数のワード線のうちの1本を選択するロウデコーダと、前記メモリアレイのうち列方向のメモリセルを選択するための複数のビット線対と、カラムアドレスに基づいて前記複数のビット線対の1つを選択し、かつ選択したビット線対に対して書込み/読出しのデータ転送を行うカラム入出力回路とを具備した半導体記憶装置であって、イニシャル信号が与えられるイニシャル信号線と、前記イニシャル信号線に接続され前記イニシャル信号が与えられたときに前記ロウデコーダの全出力を高インピーダンス状態にする手段と、前記イニシャル信号線に接続され前記イニシャル信号が与えられたときに前記複数のワード線の全てを選択状態にする手段と、前記イニシャル信号線に接続され前記イニシャル信号が与えられたときに前記複数のビット線対の全てを同時に前記カラム入出力回路に接続する手段とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。