特許
J-GLOBAL ID：200903083464740773
センサ装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064176
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264563
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 製造時における電極(金属膜)の剥離やセンサの破損を防止する。【構成】 シリコン基板1の上下面に絶縁層2、絶縁層7を形成し、絶縁層2の表面に流量検出回路導体3、4、5を形成し、各回路導体3、4、5の表面に絶縁層6を形成し、絶縁層6を一部除去した部分に電極パッド9を形成し、絶縁層6及び電極パッド9の表面に保護膜10を形成した後、シリコン基板1に空洞部8を形成し、最後に保護膜10を除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に計測対象流体を加熱する加熱手段を有する薄膜のセンサ部を形成し、該センサ部下方の基板には該センサ部を熱的に絶縁するための空間部を形成すると共に、前記基板には前記センサ部を前記基板外の外部回路と電気的に接続するための電極を形成してなるセンサ装置の製造方法において、基板上に計測対象流体を加熱する加熱手段を有する薄膜のセンサ部を形成すると共に、前記センサ部を前記基板外の外部回路と電気的に接続するための電極を形成する工程と、該薄膜のセンサ部及び電極の表面を保護するための保護膜を形成する工程と、該センサ部下方の基板に該センサ部を熱的に絶縁するための空間部を形成するために前記基板の所定面を露出させるように前記保護膜の一部を除去する工程と、前記基板の所定面にエッチングを施し前記空間部を形成する工程と、前記保護膜の薄膜のセンサ部及び電極の表面を覆っている残り部分を除去する工程と、からなることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
IPC (2件)：
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