特許
J-GLOBAL ID：200903083469812101
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359261
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191554
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】プラズマ内の活性種をプラズマ生成条件とは独立にかつ効果的に制御でき、長期的な処理性能の安定化を可能としたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】300から1000MHzの電磁波と磁場の相互作用でプラズマを形成する装置において、電磁波導入用平面板に50kHzから30MHzの電磁波を上記300から1000MHzの電磁波に重畳させ、さらに上記平面板と被加工試料の間隔を被加工試料または平面板のいずれか小さい方の径の1/2以下とする構成とした。
請求項（抜粋）：
真空排気手段と原料ガス供給手段と被加工試料設置手段を有する真空容器内で上記原料ガスをプラズマ化し、上記被加工試料の表面処理を行う表面処理装置において、上記プラズマを形成する手段が電磁波供給手段と磁場発生手段からなり、上記電磁波の上記真空容器内への導入を上記被加工試料に平行に配置された平面板から行い、上記平面板と上記被加工試料の間隔を上記被加工試料または平面板のいずれか小さい方の径の2分の1以下とし、さらに上記平面板表面と上記プラズマとの反応量を制御する手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 C
