特許

J-GLOBAL ID：200903083470704355

送信電力制御回路

発明者： 藤沢 和弘
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201808
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036678
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】異なるシステムに対して汎用性をもったディジタル携帯無線機の送信電力制御回路の低消費電力化と小形化を図る。【解決手段】減衰量を制御信号(cont)1によって0dBと20dBのいずれかに切替設定できる減衰器2を設ける。GaAsFETによる電力増幅器1のゲートバイアス電圧VGSを切り換えるスイッチングトランジスタ3を設ける。トランジスタ3のベースに印加する制御信号2をオン/オフすることによりゲートバイアス電圧VGSを変えて電力増幅器1の利得を20dBと-20dBのいずれかに設定できるようにして送信出力を-20dB〜+20dbの範囲で変えられるように構成した。

請求項（抜粋）：

高周波入力を第1の制御電圧によって減衰量を0または20dBのいずれかに切替え出力する減衰器と、該減衰器の出力を電力増幅して高周波送信出力とするGa As FETで構成された電力増幅器と、該電力増幅器のゲートバイアス回路とを備え、該ゲートバイアス回路は、第2の制御電圧によってオン/オフ制御されるディジタルトランジスタが設けられ、前記第2の制御電圧が0Vのときディジタルトランジスタがオフとなって前記FETのゲートに対して-0.5Vのバイアス電圧を出力し、前記第2の制御電圧が3Vのときディジタルトランジスタがオンとなって前記FETのゲートに対して-3.0Vのバイアス電圧を出力するように構成され、前記第1の制御電圧と前記第2の制御電圧とによって、前記高周波送信出力が通常のレベルと該通常のレベルに対して-20dBまたは-40dBのいずれかに切替えられるように構成されたことを特徴とする送信電力制御回路。

IPC (3件)：

H03G 3/10 ,  H03F 3/24 ,  H04B 1/04

FI (3件)：

H03G 3/10 E ,  H03F 3/24 ,  H04B 1/04 P