特許

J-GLOBAL ID：200903083480121331

炭化ケイ素への不純物ドーピング方法

発明者： 藤井 兼栄 ,  堀野 裕治 ,  中田 俊武 ,  渡辺 正則
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  株式会社イオン工学研究所
代理人 (2件)： 工業技術院大阪工業技術研究所長 (外1名) ,  福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273445
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139048
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 炭化ケイ素にその結晶性を損なうことなく不純物元素を均一にドーピングする方法を提供することである。【構成】 SiC基板1上に28Si+ のイオンビームおよび12C- のイオンビームを同時に照射することにより、SiC基板1上に28Si12Cエピタキシャル層2を形成する。SiC基板1上の28Si12Cエピタキシャル層2にガンマ線5を照射するとともに、エキシマレーザ光6をパルス状に照射する。これにより、28Si12Cエピタキシャル層2中の28Siが27Alに変換され、SiC基板1上に27Alドープ28Si12Cエピタキシャル層2aが形成される。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素にガンマ線または中性子線を照射することにより前記炭化ケイ素中のケイ素の同位体のうち所定の同位体をアクセプタ不純物またはドナー不純物に変換することを特徴とする炭化ケイ素への不純物ドーピング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/261 ,  C30B 29/36 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/22

引用特許：

出願人引用 (19件)

• 特開昭57-111018
  
• 特開昭52-070754
  
• 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-217085   出願人：株式会社イオン工学研究所, 中嶋堅志郎, 江龍修
• 不純物のイオン注入方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-289331   出願人：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-268392   出願人：ソニー株式会社
• nドープされたシリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-242778   出願人：三菱商事株式会社
• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211532   出願人：新技術事業団, 角屋豊, 三矢伸司, 吉田孝志
• 不純物原子の導入方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-256821   出願人：松下電器産業株式会社, 大阪ダイヤモンド工業株式会社
• ダイヤモンドのn型及びp型の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306803   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平4-168722
  
• 特開平4-139721
  
• 特開平3-129883
  
• 特開平2-253622
  
• 特開平1-132120
  
• 特開昭62-257723
  
• 特開昭62-095820
  
• 特開昭60-176981
  
• 特開昭57-072320
  
• 特開昭50-126168
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-111018
  
• 特開昭52-070754