特許

J-GLOBAL ID：200903083480765298

溝の形成方法

発明者： 片岡 豊▲隆▼
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269763
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106414
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 内壁及び表面層に結晶欠陥のない溝の形成方法を提供することによって、半導体基体に溝を形成してなる半導体装置の信頼性の向上を図る。【構成】 先ず、第1の工程でドライエッチングによって半導体基体11に溝15を形成する。第2の工程で溝15の底面周辺の角部における膜厚t1 が溝15の内壁面における膜厚t2 より薄くなるように、溝15の内壁に耐酸化性材料層16を成膜する。第3の工程で、半導体基体11を酸化性の雰囲気内で加熱し、半導体基体11の表面層に熱酸化膜からなる犠牲酸化膜17を生成する。第4の工程で、耐酸化性材料層16と犠牲酸化膜17とをエッチング除去する。これによって、結晶欠陥が特に発生し易い溝11の底面周辺の角部の表面層がエッチング除去される。

請求項（抜粋）：

ドライエッチングによって半導体基体に溝を形成する第1の工程と、前記溝の底面周辺の角部における膜厚が当該溝の内壁面における膜厚より薄くなるように当該溝の内壁に耐酸化性材料層を成膜する第2の工程と、前記半導体基体を酸化性の雰囲気内で加熱し、当該半導体基体の表面層に熱酸化膜からなる犠牲酸化膜を生成する第3の工程と、前記耐酸化性材料層と前記犠牲酸化膜とをエッチング除去する第4の工程とからなることを特徴とする溝の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 J