特許

J-GLOBAL ID：200903083492659213

半導体ウエハの製造方法

発明者： 清水 達也 ,  竹迫 健一 ,  川島 正 ,  竹田 隆二
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280967
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102386
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 良好な膜厚均一性と安定して小さな反りレベルを有し、ゲッタリング性能にも優れた裏面ポリシリコン付き半導体ウエハを製造する方法を提供する。【解決手段】 エッチトウエハ面にポリシリコンのゲッタリング層を成膜し、その片面側を鏡面研磨して該面側のポリシリコン層を除去する裏面ポリシリコン付き半導体ウエハの製造方法に於いて、片面側鏡面研磨後のウエハを、高純度水素雰囲気中に於いて700°C乃至1200°Cの温度で熱処理する。またポリシリコンゲッタリング層成膜ウエハを、同一処理装置内で継続して不活性ガス雰囲気中で熱処理する。

請求項（抜粋）：

エッチトウエハ面にポリシリコンのゲッタリング層を成膜し、その片面側を鏡面研磨して該面側のポリシリコン層を除去する裏面ポリシリコン付き半導体ウエハの製造方法において、前記片面側鏡面研磨後のウエハを、高純度水素雰囲気中において700°C乃至1200°Cの温度で熱処理することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322

FI (4件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 P ,  H01L 21/322 Y

Fターム (12件)：

5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045GH02 ,  5F045HA16