特許
J-GLOBAL ID：200903083497093331

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
中野 明彦

中野 明彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341672
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173961
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 板厚が数十μm以下になる裏面研削を行っても半導体装置基板の周辺部に割れや欠けが発生しない半導体装置の製造方法を提供する【解決手段】 ウェハ1の面取り部を、裏面研削による目標板厚より若干深い深さで切削する。そして、表面の平坦部に半導体素子保護テープ11を貼り付けて刃物で上記平坦部の形状に合わせて円形に切断する。そうした後、裏面研削用砥石15で、ウェハ1の裏面1bを研削する。その場合、ウェハ1と裏面研削用砥石15との間に半導体素子保護テープ11が巻き込まる等のウェハ1の割れや欠けの要因をなくすことができる。また、上記面取り部が無いため、数十μm以下の目標板厚まで裏面研削を行っても、上記面取り部がひさし状(ナイフエッジ状)に残ることがない。したがって、板厚が数十μm以下になる裏面研削を行ってもウェハ1の周辺に割れや欠けは発生しない。
請求項（抜粋）：
半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの表面側における外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成した後に、上記半導体ウェハの板厚が上記切り込み深さよりも薄くなるまで上記半導体ウェハに対して裏面研削を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (11件)
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