特許
J-GLOBAL ID：200903083498201618
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその集積化受光回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132371
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326120
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの動作を高速化し、かつコレクタ耐圧を大きくすることを目的とする。また、同一基板上に形成されたPin型フォトダイオードとヘテロ接合バイポーラトランジスタからなる集積化受光回路の動作を、高速にすることを目的とする。【構成】 コレクタ中の急峻なポテンシャル変化を、バンドギャップエネルギーの大きいInP(コレクタ層3)に設定しコレクタ耐圧を確保する。また、コレクタの多層構造をBCT構造として、コレクタ層7の中の電圧降下を、InGaAsの伝導帯の一つであるΓ帯と他の伝導帯の一つであるL帯のエネルギー差である0.55eV以下とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型の第1の半導体層からなるコレクタコンタクト層と、第2の半導体層,前記第2の半導体層より不純物濃度が高い第2導電型の第3の半導体層,前記第1と第2の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく前記第2の半導体層より不純物濃度が高い第1導電型の第4の半導体層とから構成されて、前記第4の半導体層,第3の半導体層,第2の半導体層の順に前記コレクタコンタクト層上に積層されたコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に形成された第2導電型の第5の半導体層からなるベース層と、前記ベース層上に形成された第1導電型の半導体層からなるエミッタ層とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
, H01L 31/10
H01L 29/72
, H01L 31/10 A
