特許
J-GLOBAL ID：200903083505058940
表示装置及びその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306595
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127556
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 補助容量の電極構造を改善して表示装置の製造工程を合理化する。【解決手段】 表示装置は互いに接合した駆動基板1及び対向基板とこの間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有する。駆動基板1は互いに同一層に属し且つ独立的にパタニング形成されたゲート配線2及び補助配線3と、両配線を被覆するゲート絶縁膜4と、このを介してゲート配線2の一部をまたぐ様にパタニング形成されゲート配線2と重なる部分で薄膜トランジスタTRの活性領域6を構成する半導体薄膜5と、活性領域6の一方側で半導体薄膜5に電気接続する信号配線9と、活性領域6の他方側で半導体薄膜5に電気接続する画素電極12とを備えている。
請求項（抜粋）：
所定の間隙を介して互いに接合した駆動基板及び対向基板と該間隙に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、該駆動基板は互いに同一層に属し且つ独立的にパタニング形成されたゲート配線及び補助配線と、両配線を被覆するゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して該ゲート配線の一部をまたぐ様にパタニング形成され該ゲート配線と重なる部分で薄膜トランジスタの活性領域を構成する半導体薄膜と、該活性領域の一方側で該半導体薄膜に電気接続する信号配線と、該活性領域の他方側で該半導体薄膜に電気接続する画素電極とを備えた表示装置であって、前記半導体薄膜は該ゲート絶縁膜を介して該補助配線の一部と重なる延設領域を含み、補助配線とゲート絶縁膜と半導体薄膜との三層構造からなる補助容量を構成し、前記延設領域は該ゲート絶縁膜を介して補助容量の一方の電極となる補助配線の電位の作用を受けて導電性を生じ補助容量の他方の電極として機能する事を特徴とする表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, G09G 3/36
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338 K
, G09G 3/36
