特許

J-GLOBAL ID：200903083507966380

光半導体装置

発明者： 手塚 勉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042372
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249816
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】応答速度や増幅作用の改善を図り得る光半導体装置を提供すること【構成】GaAs基板4上の第1の反射鏡としての多層膜反射鏡1と、多層膜反射鏡1上に設けられた発光層A1、発光層A2と、発光層A1,A2間に設けられた第2の反射鏡としての多層膜反射鏡2と、発光層A2上に設けられた第3の反射鏡としての多層膜反射鏡3とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた第1の反射鏡と、この第1の反射鏡上に設けられた複数の発光層と、これら複数の発光層の各間に設けられた第2の反射鏡と、前記複数の発光層のうち、最上層の発光層上に設けられた第3の反射鏡とを具備してなることを特徴とする光半導体装置。