特許

J-GLOBAL ID：200903083519223986

圧電素子、インク吐出素子およびインクインクジェット式記録装置

発明者： 鳥井 秀雄 ,  藤井 映志 ,  友澤 淳 ,  高山 良一 ,  久保 晶子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384315
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188428
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 薄膜型圧電素子は、圧電膜を非晶質膜を作製後、結晶化の熱処理を行う方法で作られ、クラックの発生や特性バラツキの原因となっていた。【解決手段】 基板の上に第1の電極層を設け、その上に第1の結晶配向制御層を設け、その上に第2の結晶配向制御層を設け、その第2の結晶配向制御層上に圧電体層を設け、その圧電体層上に第2の電極層を設けた構成とすることによって、圧電薄膜材料を成膜後に熱処理による結晶化工程なしに直接的に、例えばスパッタ法等で、結晶構造と優先配向面を制御した結晶性の圧電体層が製造できる。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極層を設け、その第1の電極層上に第1の結晶配向制御層を設け、その第1の結晶配向制御層上に第2の結晶配向制御層を設け、その第2の結晶配向制御層上に圧電体層を設け、その圧電体層上に第2の電極層を設けた圧電素子。

IPC (6件)：

H01L 41/08 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18

FI (6件)：

H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/08 U ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 C

Fターム (8件)：

2C057AF93 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AG47 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14