特許
J-GLOBAL ID：200903083522122953
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047799
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】高電子移動度トランジスタ(HMET)を備えた半導体装置に関し、HEMTの伝達コンダクタンスを大きくすることを目的とする。【構成】不純物が添加された電子供給層3と、前記電子供給層3の下面にヘテロ接合してその中の電子を引き付ける電子走行層1と、前記電子供給層3の上面に積層され、かつ、ショットキー接触する金属に対するビルトインポテンシャルが前記電子供給層3に比べて低い材料よりなる上層部を有するとともに、該上層部から前記電子供給層3までのエネルギーバンドギャップを連続的に変化させる材料よりなる下層部を有する半導体層4,5と、前記半導体層4,5の上に形成されてその上層部とショットキー接触するゲート電極6と、前記ゲート電極6の両側方で前記半導体層4,5にオーミック接触するソース電極7及びドレイン電極8とを備えてなる高電子移動度トランジスタとを含み構成する。
請求項（抜粋）：
不純物が添加された電子供給層(3)と、前記電子供給層(3)の下面にヘテロ接合してその中の電子を引き付ける電子走行層(1)と、前記電子供給層(3)の上面に積層され、かつ、ショットキー接触する金属に対するビルトインポテンシャルが前記電子供給層(3)に比べて低い材料よりなる上層部を有するとともに、下層部に該上層部から前記電子供給層(3)までエネルギーバンドギャップを変化させた領域を有する第1の半導体層(4、5)と、前記第1の半導体層(4、5)の上に形成されてその上層部とショットキー接触するゲート電極(6)と、前記ゲート電極(6)の両側方で前記第1の半導体層(4、5)にオーミック接触するソース電極(7)及びドレイン電極(8)とを備えてなる高電子移動度トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/203
