特許
J-GLOBAL ID：200903083525599955
銅 ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019422
公開番号（公開出願番号）：特開平6-210795
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：
【要約】【目的】 高信頼性の回路の形成を可能とするセミアディティブ法に適した極めて薄い銅被膜を有した銅ポリイミド基板の製造方法の提供を目的とする。【構成】 金属板の表面粗度のRmaxが所望のポリイミド樹脂表面と銅表面の間隔の最小値より小さい金属板表面上にポリアミド酸を塗布しイミド化した後、金属板を溶解除去し、露出したポリイミド樹脂表面に無電解銅めっきを施して銅ポリイミド基板を製造する。【効果】 セミアディティブ法に適した極めて薄く、なおかつ充分な密着強度を持った銅めっき被膜を形成した銅ポリイミド基板を得ることができる。
請求項（抜粋）：
表面粗化した金属板上にポリアミド酸を塗布しイミド化した後、金属板を溶解除去することによって露出したポリイミド樹脂表面に、無電解銅めっきを施して銅ポリイミド基板を製造するものであり、用いる金属板の表面粗度のRmaxが所望のポリイミド樹脂表面と銅表面の間隔の最小値より小さいものであることを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。
IPC (5件)：
B32B 15/08
, C23C 18/22
, C23C 18/38
, H01L 23/14
, H05K 3/00
