特許

J-GLOBAL ID：200903083529482122

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 遠藤 幸雄 ,  川元 暁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018053
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 閾値電圧を変化させることなくオフ電流を低減することができる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 ゲート絶縁膜3上の、ゲート電極2の上方である位置には、レーザ誘起結晶法にて形成された多結晶シリコン層4を有し、多結晶シリコン層4上の縁部及びその両外側には燐ドープのn+ 型非晶質シリコン層5が形成されている。ソース領域のn+ 型非晶質シリコン層5上にはソース電極7が、ドレイン領域のn+ 型非晶質シリコン層5上にはドレイン電極6が夫々形成されている。そして全表面は硼素ドープのSiONからなる表面保護膜8にて覆われている。この表面保護膜8は、SiONを成膜する場合の成膜ガスにジボランを加えたプラズマCVD法にて形成してある。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン半導体層又は多結晶シリコン半導体層からなる活性層及びゲート電極を備えるnチャネル型の薄膜トランジスタにおいて、活性層のゲート電極と反対側の面に形成され、不純物がドープされたシリコン化合物からなる絶縁膜を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。