特許

J-GLOBAL ID：200903083531742549

レジストパターン形成方法

発明者： 塩原 英志 ,  池田 隆洋 ,  玉置 真希子 ,  高瀬 貴代子
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202278
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057995
出願日： 1993年08月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストと被加工膜の界面付近のレジストパターンプロファイルの異常の発生を防ぎ、簡易な方法で安定して高精度のパターンを得ることのできるレジストパターン形成方法を提供すること。【構成】 シリコン基板11上に被加工膜としての炭素膜12を形成したのち、この炭素膜12上に化学増幅型レジスト膜13を形成し、次いでレジスト膜13を所望パターンにパターン露光し、次いでレジスト膜13をポストエクスポージャベークし、次いでレジスト膜13を現像処理するレジストパターンの形成方法において、炭素膜12を形成した直後で、かつレジスト膜13を形成する前に、塩基性物質を含まない環境下で、炭素膜12を活性な水素を含むガスに曝すことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に被加工膜を形成したのち、この被加工膜を活性な水素を含むガスに曝す工程と、前記被加工膜上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を所望パターンに露光する工程と、前記レジスト膜を加熱処理する工程と、前記レジスト膜を現像処理する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 501

FI (3件)：

H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 571