特許
J-GLOBAL ID：200903083540488400
半導体製造装置における不純物拡散炉
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203293
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053154
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【構成】 複数のガス噴出口13を有するインジェクター5を備えた半導体製造装置における不純物拡散炉において、前記インジェクター5のガス噴出口13の穴径を、このインジェクター5へのガス流入口12からの距離が大きくなるにつれて徐々に大きく形成した。【効果】 ガス流入口に近いガス噴出口から噴出するガス流量と、ガス流入口から遠いガス噴出口から噴出するガス流量とを等しくすることができる。これにより、その搭載位置に拘らず、不純物拡散層における不純物濃度が均一なシリコンウエハを製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
複数のガス噴出口を有するインジェクターを備え、前記インジェクターのガス噴出口の穴径を、このインジェクターへのガス流入口からの距離が大きくなるにつれて徐々に大きく形成したことを特徴とする半導体製造装置における不純物拡散炉。
IPC (2件)：
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