特許
J-GLOBAL ID：200903083542373820
酸化物電極
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094681
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】超伝導素子やDRAM及び不揮発性RAMに用いられる高配向性の誘電体薄膜が容易に形成できる下部電極を提供する。【構成】導電性ペロブスカイト型酸化物3を単結晶基板1上にエピタキシャルに形成するか、単結晶基板1上にエピタキシャルに形成されたバッファ上にエピタキシャルに形成して下部電極2とする。
請求項（抜粋）：
比抵抗が500mΩcm以下であるペロブスカイト型酸化物からなる電極において、基板上にエピタキシャルに形成されることを特徴とする酸化物電極。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, C30B 23/08 ZAA
, H01L 21/203
