特許

J-GLOBAL ID：200903083547130136

半導体装置およびその製造方法

発明者： 澤田 真人 ,  飛松 博 ,  林出 吉生
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201396
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047624
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】微細な溝の内部を、ボイドなどの欠陥の無い良好な膜質の絶縁膜で充填することにより、良好な分離特性を示す素子分離構造を備える半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と分離絶縁体2a〜2cとを備える。半導体基板1の主表面には溝17a〜17cが形成されている。分離絶縁体2a〜2cは、熱酸化法を用いて溝の内部に形成され、半導体基板1の主表面において素子形成領域を分離するものである。上記分離絶縁体2a〜2cは複数の酸化膜3a〜3c、4a〜4c、5a〜5c、6b、7bの積層体である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主表面に溝が形成された半導体基板と、 熱酸化法を用いて前記溝の内部に形成され、前記半導体基板の主表面において素子形成領域を分離する分離絶縁体とを備え、 前記分離絶縁体は、複数の酸化膜レイヤの積層体である、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/76 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316

FI (3件)：

H01L21/76 L ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 S

Fターム (36件)：

5F032AA14 ,  5F032AA16 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA48 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA22 ,  5F032DA23 ,  5F045AA20 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE19 ,  5F045HA22 ,  5F058BA02 ,  5F058BB04 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ06