特許
J-GLOBAL ID:200903083550382731

有機半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉村 俊一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-134881
公開番号(公開出願番号):特開2005-294785
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 有機半導体層への電荷注入が容易で、電荷移動特性のよい有機半導体層を備えた有機半導体装置を提供する。【解決手段】 対向する第1の電極及び第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に設けられた有機半導体層とを有する有機半導体装置であって、第1の電極及び第2の電極のうち少なくとも一方の電極と有機半導体層との間に、電荷注入促進層が形成されている有機半導体装置により、上記課題を解決した。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
互いに対向する第1の電極及び第2の電極と、当該第1の電極及び当該第2の電極の間に設けられた有機半導体層とを有する有機半導体装置であって、 前記第1の電極及び前記第2の電極のうち少なくとも一方の電極と前記有機半導体層との間に、電荷注入促進層が形成されていることを特徴とする有機半導体装置。
IPC (2件):
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4件):
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 616U
Fターム (37件):
5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ14
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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