特許
J-GLOBAL ID：200903083550426828
希土類ドープ半導体層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185980
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177062
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 希土類をドープしたエピタキシャル半導体層を基板上に形成するCVDプロセスを提供する。【構成】 気相のシランまたはゲルマンと希土類化合物を利用する。この方法により、希土類をドープし、希土類内で過飽和した単相半導体層が形成される。好適な希土類はエルビウム、CVDによってエルビウムを被着するために好適な前駆体は、エルビウム・ヘキサフルオロアセチルアセトネート、アセチルアセトネート、テトラメチルヘプタンジオネート、及びフルオロオクタンジオネートである。
請求項（抜粋）：
エルビウムをドープした半導体層を基板上に形成する方法であって、基板上に被着膜を形成するための膜形成チャンバに、気相のゲルマン、シラン、及びその混合物から成るグループから選択された第1要素と、500°Cで10-6トルを超える蒸気圧を有する気相のエルビウム化合物から成る第2要素との混合物を導入し、上記基板を加熱するステップを含む、エルビウム・ドープ半導体層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/02
, H01L 21/223
