特許
J-GLOBAL ID：200903083556813653
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242835
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106324
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 RC遅延の最適化が容易な半導体装置を得る。【構成】 半導体素子の形成領域に、絶縁層を介して、単一または複数の配線層が形成された半導体装置において、同一の配線層の配線の上面を同一平面上に揃えると共に、少なくとも一本の配線の厚みを他と異ならせたものである。
請求項（抜粋）：
半導体素子の形成領域に、絶縁層を介して、単一または複数の配線層が形成された半導体装置において、同一の配線層の配線の上面を同一平面上に揃えると共に、少なくとも一本の配線の厚みを他と異ならせたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
