特許

J-GLOBAL ID：200903083558845331

非晶質半導体の製造方法

発明者： 波多野 晃継 ,  久保田 英志
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  株式会社アフティ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203587
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049636
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】 ガス状態の材料の供給が困難な非晶質半導体を作製できると共に、安全な作業環境を保ちながら、各種デバイスに応用できる良質で低価格の非晶質半導体を作製できる非晶質半導体の製造方法を提供する。【構成】 マイクロ波と磁界との相互作用による電子サイクロトロン共鳴条件下で、電子を加速することによって、プラズマ室11に導入した導入ガスに基づくプラズマ流17を発生させ、プラズマ流17を固体のスパッタターゲット18に衝突させて、スパッタターゲット18からスパッタ原子を飛び出させ、このスパッタ原子を、基板22上に堆積させることによって、基板22上に非晶質半導体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマ室にガスを導入し、上記プラズマ室に、マイクロ波と磁界を印加して、上記プラズマ室内をマイクロ波と磁界との相互作用による電子サイクロトロン共鳴条件に設定して、電子を加速することによって、上記導入ガスのプラズマを発生させ、上記プラズマを固体のスパッタターゲットに衝突させて、上記スパッタターゲットからスパッタ原子を飛び出させ、上記スパッタ原子を、基板上に堆積させることによって、上記基板上に非晶質半導体を形成することを特徴とする非晶質半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-028367
  
• 特開平4-021774
  
• 特開平1-240648
  
• 特開昭61-026771