特許

J-GLOBAL ID：200903083561182815

整流用半導体装置

発明者： 若田部 勝 ,  石田 純一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-273171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090565
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】順方向電圧降下特性を大幅に低下させることなく、高い逆方向電圧領域まで逆漏れ電流を小さな値に抑制した整流用半導体装置の提供を目的とする。【構成】 一導電型半導体の凸部の底部に第1の逆導電型半導体領域を、又凸部の上部に形成されたショットキ接触面に接して第2の逆導電型半導体領域を設けて、第2の領域のはさむチャネル間隔を第1の領域のはさむチャネル間隔より小ならしめることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体表面に複数のトレンチ溝を設け、該トレンチ溝の少なくとも底部に形成する第1の逆導電型半導体領域、及び凸部上面の一導電型半導体とはショットキ接触、第1の逆導電型半導体領域とはショットキ接触又はオ-ミック接触を形成する金属層から成る整流用半導体装置において、凸部上面のショットキ接触面に接して第2の逆導電型半導体領域を形成し、第2の逆導電型半導体領域がはさむチャネル間隔を第1の逆導電型半導体領域がはさむチャネル間隔より小ならしめることを特徴とする整流用半導体装置。