特許

J-GLOBAL ID：200903083563176448

熱電半導体素子及びその製造方法

発明者： 櫻木 史郎
出願人/特許権者： ユニオンマテリアル株式会社
代理人 (1件)： 杉山 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276751
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228027
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 コストの低いサーモモジュールを製造できる熱電半導体素子を提供する。【解決手段】 p形とn形の熱電化合物半導体の単結晶は熱伝導性の低い、ゴム、プラスチック、シリコーン樹脂のような柔軟な絶縁物1で架橋されている。また、柔軟な絶縁物1には、半導体単結晶の架橋に必要な部分以外には孔2を形成して、熱電半導体素子の表面と裏面を熱的に絶縁している。この熱電半導体素子のp型とn型の半導体単結晶を導電性プラスチック電極で接続し、その両端をゴム、プラスチック等の柔軟な絶縁物の基板で挟むことにより、柔軟性のあるサーモモジュールを作成できる。

請求項（抜粋）：

互いに同数ずつの熱電素子用p型半導体結晶及び熱電素子用n型半導体結晶を柔軟な絶縁物又は硬質絶縁物で架橋したことを特徴とする熱電半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 35/32 ,  C30B 29/46 ,  C30B 29/62 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (5件)：

H01L 35/32 A ,  C30B 29/46 ,  C30B 29/62 Z ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34